- 단순형. 0.2V 정도의 전압 drop 발생. V_cc < V_control 조건에서만 정상동작
- V_c(sat) 만큼 차이
Switch가 하나만 있는 회로
입력이 12V일때
Load switching using 2 MOSFET
Load switching using 1 MOSFET 12V
Load switching using 1 MOSFET 5V
혼합형 switch
저항을 달아 흐르는 전류를 줄여서 power 소모를 줄일 수 있음
PMOS/NMOS를 사용한 NOT GATE
- 논리 0 입력 → 아래쪽 NMOS off gate/source 0V → 위쪽 PMOS gate/source 5V
- Drain 단자 5V 출력 → 논리 1
- 논리 1 입력 → 위쪽 NMOS V_gs 0V → 아래쪽 PMOS V_gs 5V
- Drain 단자 0V 출력 → 논리 0
NOT GATE가 들어있는 IC 7404
- 동작 전압 5V
- NOT Gate가 6개 들어가있음 → 핀이 12개 → Vcc, 전원단자
74 series를 만든 회사 Texas Instruments
- 홈의을 왼쪽으로 봤을 때 아래쪽이 1번 → 반시계방향.
- 14 번 V_cc, 7번 GND
- HEX (6) Inverters: 하나의 IC안에 6개의 inverter
7405 Series
Open collector output이란?
- PCB기판에 여러개의 IC
- A라는 IC가 동작해서 B라는 IC의 입력으로 들어가는 경우
- Digital 단자라고 가정 (논리 1 or 논리 0).
- 정확하게 0V, 1.8V가 아니라 범위로 논리를 인식 (Noise 마진) → 복잡하니까 생략
- A 에서 논리 1을 출력하면 1.8V 가 나옴 논리 0 : 0V
- B 0V전압 들어오면: 논리 0 5V 전압 들어오면: 논리 1
- A 에서 B로 논리 0을 넘기는 문제 없음.
- A 에서 B로 논리 1을 넘기는 과정에서 1.8V를 넘기면 B가 받을 때 어떤 논리인지 판단을 못함 → 데이터 전달 정확하지 않음.
- 데이터 전송하는 프로토콜 IIC (inter ic) ⇒ I square C
- 0V는 통과 1.8V를 5V로 바꿔줌 (통역기: op-amp나 NMOS 하나로 구현 할 수 있음)
- 모든 데이터 라인에 NMOS를 달면 비용 증가, 복잡도 증가.
- 두번째 방법: NOT gate를 사용해서 한번 뒤집고 Transistor를 사용해서 collector 단자를 밖으로 뺌. Open collector (NMOS이면 open drain) 출력단.
- 논리 0 출력 —> not gate에서 1.8 V로 바뀜. Npn switch 에서 base emitter 사이 0.7V 보다 큰 1.8V가 들어오면 switch on → gnd의 0V 가 뒷단으로 들어감.
- 논리 1 출력 1.8V —> not gate에서 0V로 바뀜 base emitter사이 switch off로 동작 출력단이 끊김→ 뒷단 5V를 묶어서 5V전압이 들어가게함 → 논리 1로 인식
- 문제점: 다시 논리 0이 나오면 앞단의 ground전압과 뒷단의 5V가 short됨 → pull-up 저항을 달아준다.
- 논리 1을 정상적으로 넘기기위해서 뒷단 5V에 pull-up 저항을 사용 (1kOhm ~ 10kOhm 적절)
- Open collector 구조의 가장 큰 장점 : 앞단과 뒷단의 전압차에 상관없이 논리가 적용됨.
- 통역기 역할을 하는 구조 : level shifter. Open collector에서는 level shifter를 사용안함.
Comparator (비교기)
- + 쪽으로 들어가는 전압이 더 크면 논리 1 / -쪽 전압이 더 크면 논리 0
- 아날로그 회로 block
- 비교기 IC의 출력이 최종인 경우는 잘 없고 뒷단에 다른 IC를 제어하는 경우가 많음.
- Open collector로 만들면 유리
- 스위치가 on 되면 신호가 빠져서 speaker로 소리가 안나감. GND쪽에서 의도치 않게 DC 성분이 speaker쪽으로 타고 나갈 수 있음. Pop-noise → capacitor를 달아서 해결 가능.
- 0.7V 보다 작으면 Q1 off Q2 on → 0.2V
- 0.7V보다 크면 Q1 전압이 0.2 V Q2 off → 5V
- TTL: Transistor Transistor Logic
- 출력단에 전류를 잘 공급할 수 있는 역할. 많은 개수의 gate가 붙을 수 있다.
- IC의 출력단에서 내어줄 수 있는 전류에 한계가 있다
- Fan-out = 10 논리게이트의 뒷단에 10개가 병렬로 붙어도 된다.
- Voltage buffer: 전압이득은 1인데 전류를 출력쪽에 잘 내어주는 버퍼
숙제
- NMOS 한개
- 1.8 V가 나오면 1.5V 넘어가고 V_to 보다 작아서 switch off → 5V 출력
- simulation 0.2 us max step size 1ns
- 논리 1일때는 스위치 끊어짐
- 뒷단 IC에서 논리 1로 받을 수 있는 V_cc를 pull up 저항과 함께 연결
- Snubber회로가 필요 없음.
- 이유: Snubber회로가 내장되어있는 NMOS 부품.
- 단점: 비싸다.
- 자동차 관련 부품들도 ESD대책이 되어있다.
- BJT에 저항이 달려있는 이유: base전류가 흐르기 때문. Pull-up 저항.
실제 load switch를 사용할때 생기는 문제에 대해
- Load switching 회로는 뒷단 부하에 전압을 공급할지 말지 결정함
- 뒷단 저항이 실제로는 IC이다. V_cc: IC에 전원 공급단자. Decoupling capacitor가 달려있다. 용량값이 어느정도 이상 큰 C. 어떤 문제발생?
- 0V~ 5V로 바뀔때 걸리는 시간을 1us, capacitor의 용량을 1uF이라고 했을 때 5A 전류가 capacitor로 흐른다. Load switch가 off→on 될때 순간적으로 capacitor를 통해서 큰 전류가 흐른다. Capacitor 내부의 절연체 알갱이들이 망가질수있다. Switch에도 문제가 생길 수 있음. 이런 전류를 Inrush current (돌입전류)라고 한다.
- 해결 방안: dv/dt를 줄인다. 1us동안 변하는 전류를 10us동안 변하게 하면 흐르는 전류가 1/10이 된다. RC 시정수를 이용하면 됨. Rising time Falling time이 시정수의 2.2배정도 늘어짐.
1.2 A 정도 튐
시정수를 추가하기 위해서 저항과 capacitor를 단다.
700mA 정도 튐
더 줄이고 싶다면 C값이나 R값을 키우면 됨. Capacitor 값을 10n로 키우면
- 200mA 정도로 줄어듦.
- Capacitor를 이렇게 달아도됨 .
- 효과가 있는것은 맞음. Inrush current 덜 줄어듦. 500mA정도.
RC를 추가하면 생기는 또 다른문제
- V_cc에 걸리는 전압이 capacitor때문에 늘어진다.
- Switch off 될때 시간이 오래걸려서 안정성이 떨어진다.
- 방전이 덜 된 상태에서 사람이 만지면 감전될 수 있음. Capacitor에 충전 돼 있는 전압을 빨리 방전시켜야하는 경우가 있을 수 있음.
- Switch off 일때 빨리 방전시켜야함. Nmos 하나를 더 달아준다.
훨씬 빨라진 방전을 확인할 수 있다.
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